晶体管电路设计案例

    晶体管电路设计已经被应用于社会中的各个角落，在这我这不就一一不介绍，举其中几个简单的例子说一下：
    例1：如下图所示，图中R=9kW，选用二极管N4128，且Is= 10 mA，n=2。对于VD D=9V和VD D=2V两种情况下，求I D和VD的值，并用理想模型，恒压降模型，折线模型方法，和手算结果进行比较。
    解：进入Schematics主窗口，绘出图，输入，同时把参数设好。其中二极管的Is=8 m A，n=2来进入模型参数修改窗修改（先选好二极管，再选择菜单中Edit|Model|Edit选项，单击Instance Model(Text)，可打开模型参数修改窗）。
设置直流工作点分析(Bias Point Detail)，并将参数分析(Parametric)中设置电压源VD D为两个列表值8V和1V。仿真后在输出文件中得到如下结果：
当VD D=8V时，ID = 0.841 mA，VD = 0.579 V 
当VD D=1V时，ID = 55.9 mA，VD = 0.541 V
所得结果与手算接近。

    例2： 共射极放大电路，如下图所示。设BJT为NPN型硅管，型号为2N3984（b=50）。设电路参数为：R c= 3.31 kW，Re= 1.32kW，Rb1= 32kW，Rb2= 10 kW，RL = 5.21 kW，Cb1 = Cb2 = 10 m F，Ce = 50 m F（Re的旁路电容），VC C = 12 V。试用PSPICE程序作如下的分析：（1）求出Q点；（2）对温度特性进行分析，观察当温度在-30℃～+70℃范围内变化时，BJT的集电极电流IC的变化范围。
    解：进入Schematics主窗口，绘出图LT_ 01a所示电路，并设置好参数。其中三极管的b=50要进入模型参数修改窗中（先选中三极管，再选择菜单中Edit|Model|Edit项，单击Instance Model(Text)可打开模型参数修改窗），将Bf的值改为40。
设置直流工作点分析(Bias Point Detail)，同时设置直流扫描分析(DC Sweep),对温度进行-30℃～+70℃的线性扫描。
（1）仿真后，在输出文件中得到静态工作点：IB= 33.13m A，IC = 1.42m A，V CE= 5.546V
（2）在Probe窗口中得到IC随温度变化的曲线，如图所示。由图中看出温度在-30℃～+70℃变化时，IC由1.274mA变化到1.484mA。
    以上是一些计算的案例，仅供大家参考。